老子有钱注册
  咨询电话:13698103907

老子有钱客服电话

制造薄膜集成电路和元件衬底的方法

制造薄膜集成电路和元件衬底的方法

对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加,需要进一步地减小成本。本发明的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本发明的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有金属的反应物的蚀刻速率高,且在本发明中除了使用蚀刻金属膜或具有金属的反应物的化学方法之外,还可以使用物理方法。由此,IDF芯片可以在短时间内简单且容易地制造。

图22A至22C示出了薄膜集成电路的模式。

作为把IDF芯片转移到柔性衬底的结果,与没有柔性衬底的状态相比,能提高IDF芯片的抗断强度。转移到柔性衬底的IDF芯片与形成在绝缘衬底上的IDF芯片相比,能制造得轻、薄和有弹性。

如图30所示,氧化钩的蚀刻速率高于钩的蚀刻速率。换句话说,由于其高蚀刻速率,可以在短时间内制造IDF芯片,所以优选使用氧化钩作为本发明的分离层。

图24示出了薄膜集成电路的制造装置。

这样的安装有IDF芯片的商品可以大幅度地减小在销售中的人力成本。并且,可以减小人为误差。

以这种方式安装IDF芯片可以增加提供给消费者的信息量;由此,消费者可以很容易地购买产品。

该IDF芯片可以包括诸如商业广告的信息,例如,主页地址。在那种情况下,激活Internet浏览器,并通过读取/写入器输入地址;然后,可以看到主页。通过读取在IDF芯片中记录的信息,与手动输入信息的情况相比可以避免输入错误。

通过上述步骤,完成了具有TFT的IDF芯片。在这个实施例中描述了顶栅结构;然而,也可以采用底栅(反向交错)结构。

IDF芯片可以固定到用于包装所有物的包装纸上。进一步,作为音

下引起了化学状态的改变。在形成例如具有w的氧化膜的情况下,引起